STW10NK80Z
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

STW10NK80Z

Product Overview

المُصنّع:

STMicroelectronics

رقم الجزء DiGi Electronics:

STW10NK80Z-DG

وصف:

MOSFET N-CH 800V 9A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 9A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-247-3

المخزون:

39 قطع جديدة أصلية في المخزون
12872572
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

STW10NK80Z المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
SuperMESH™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
900mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2180 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
160W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
STW10

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
ST(P,W)10NK80Z(FP)

معلومات إضافية

الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
497-3254-5
497-3254-5-NDR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
stmicroelectronics

STP170N8F7

MOSFET N-CH 80V 120A TO220

stmicroelectronics

STFI16N65M2

MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP

stmicroelectronics

STL26N65DM2

MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV

stmicroelectronics

STF16N60M2

MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP