رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STW12NK60Z
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STW12NK60Z-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
12879548
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STW12NK60Z المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
SuperMESH™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
640mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.5V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1740 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
STW12N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
STW12NK60Z-DG
497-10995-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFPC50APBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
4648
DiGi رقم الجزء
IRFPC50APBF-DG
سعر الوحدة
1.74
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXFH14N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
24
DiGi رقم الجزء
IXFH14N60P-DG
سعر الوحدة
2.65
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFPC50PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IRFPC50PBF-DG
سعر الوحدة
2.73
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STD40NF10
MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
STL70N4LLF5
MOSFET N-CH 40V 70A POWERFLAT
STW52NK25Z
MOSFET N-CH 250V 52A TO247-3
