الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STW12NM60N
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STW12NM60N-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 10A TO247-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12873923
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STW12NM60N المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
MDmesh™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
10A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
410mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30.5 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
960 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
90W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
STW12N
معلومات إضافية
الباقة القياسية
600
اسماء اخرى
STW12NM60N-DG
497-7615-5
-497-7615-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
AOK20N60L
المُصنِّع
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
الكمية المتاحة
174
DiGi رقم الجزء
AOK20N60L-DG
سعر الوحدة
2.65
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFPC60LCPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
653
DiGi رقم الجزء
IRFPC60LCPBF-DG
سعر الوحدة
3.11
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFPC60PBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
314
DiGi رقم الجزء
IRFPC60PBF-DG
سعر الوحدة
3.39
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP13NM60N
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
649
DiGi رقم الجزء
STP13NM60N-DG
سعر الوحدة
2.01
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STI12NM50N
MOSFET N-CH 500V 11A I2PAK
STWA35N65DM2
PTD HIGH VOLTAGE
STB30NF10T4
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
STP4NB80
MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB