الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
United Arab Emirates
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
United Arab Emirates
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STW18NM60ND
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STW18NM60ND-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 13A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
254 قطع جديدة أصلية في المخزون
12872919
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STW18NM60ND المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
FDmesh™ II
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
13A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1030 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
110W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
STW18N
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
STx18NM60ND
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
-497-13887-5
497-13887-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SPW17N80C3FKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
452
DiGi رقم الجزء
SPW17N80C3FKSA1-DG
سعر الوحدة
2.35
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFP26N60LPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
1789
DiGi رقم الجزء
IRFP26N60LPBF-DG
سعر الوحدة
5.02
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STW18N60DM2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
134
DiGi رقم الجزء
STW18N60DM2-DG
سعر الوحدة
1.41
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IXTH26N60P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTH26N60P-DG
سعر الوحدة
5.53
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IRFP27N60KPBF
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
185
DiGi رقم الجزء
IRFP27N60KPBF-DG
سعر الوحدة
4.92
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STB36NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
STB80NF55-08T4
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
STP6NM60N
MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220AB
BUK7C3R1-80EJ
MOSFET N-CH 80V 200A D2PAK-7