رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STW26N60M2
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STW26N60M2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 169W (Tc) Through Hole TO-247-3
المخزون:
553 قطع جديدة أصلية في المخزون
12878106
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STW26N60M2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
MDmesh™ M2
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
165mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±25V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1360 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
169W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-3
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
STW26
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
600
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
SCT3120ALGC11
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
6940
DiGi رقم الجزء
SCT3120ALGC11-DG
سعر الوحدة
4.30
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
IPW60R180P7XKSA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
237
DiGi رقم الجزء
IPW60R180P7XKSA1-DG
سعر الوحدة
1.54
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
R6022YNZ4C13
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
600
DiGi رقم الجزء
R6022YNZ4C13-DG
سعر الوحدة
3.02
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STI14NM50N
MOSFET N CH 500V 12A I2PAK
STP45NE06
MOSFET N-CH 60V 45A TO220
STP42N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 34A TO220
