رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STW65N023M9-4
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STW65N023M9-4-DG
وصف:
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
وصف تفصيلي:
N-Channel 650 V 95A (Tc) 463W (Tc) Through Hole TO-247-4
المخزون:
66 قطع جديدة أصلية في المخزون
13005836
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STW65N023M9-4 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
650 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
95A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
23mOhm @ 48A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8844 pF @ 400 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
463W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-247-4
العبوة / العلبة
TO-247-4
رقم المنتج الأساسي
STW65
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
497-STW65N023M9-4
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
GSGA6R015
MOSFET, N-CH, SINGLE, 175A, 150V
PSMQC094N10NS2_R2_00201
100V/ 9.4M/ EXCELLECT LOW FOM MO
GSFU9504
MOSFET, N-CH, SINGLE, 5A, 950V,
