رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
STY100NS20FD
Product Overview
المُصنّع:
STMicroelectronics
رقم الجزء DiGi Electronics:
STY100NS20FD-DG
وصف:
MOSFET N-CH 200V 100A MAX247
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 450W (Tc) Through Hole MAX247™
المخزون:
12877446
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
STY100NS20FD المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
STMicroelectronics
تعبئة
-
سلسلة
MESH OVERLAY™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
24mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
7900 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
450W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
MAX247™
العبوة / العلبة
TO-247-3
رقم المنتج الأساسي
STY100
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
30
اسماء اخرى
497-5321-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTX110N20L2
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
700
DiGi رقم الجزء
IXTX110N20L2-DG
سعر الوحدة
26.46
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
STP6N90K5
MOSFET N-CH 900V 6A TO220
STP20N90K5
MOSFET N-CH 900V 20A TO220
STW43NM50N
MOSFET N-CH 500V 37A TO247-3
