TSM2N7002KCU
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

TSM2N7002KCU

Product Overview

المُصنّع:

Taiwan Semiconductor Corporation

رقم الجزء DiGi Electronics:

TSM2N7002KCU-DG

وصف:

60V, 0.24A, SINGLE N-CHANNEL POW
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 240mA (Ta) 298mW (Ta) Surface Mount SOT-323

المخزون:

12987496
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

TSM2N7002KCU المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
240mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.5Ohm @ 240mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.91 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
30 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
298mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-323
العبوة / العلبة
SC-70, SOT-323

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
1801-TSM2N7002KCUTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
renesas-electronics-america

2SJ358-T1-AZ

2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET

toshiba-semiconductor-and-storage

TW048N65C,S1F

G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH

onsemi

NTD5C684NL

MOSFET N-CH 60V 46A DPAK

goford-semiconductor

G20P10KE

P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-