رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
TSM60NB1R4CP
Product Overview
المُصنّع:
Taiwan Semiconductor Corporation
رقم الجزء DiGi Electronics:
TSM60NB1R4CP-DG
وصف:
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 28.4W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
المخزون:
13000963
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
TSM60NB1R4CP المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Taiwan Semiconductor
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.4Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.12 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
257.3 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
28.4W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252 (DPAK)
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
TSM60
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
1801-TSM60NB1R4CPTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMP22D5UFO-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0604-
SCT4062KEHRC11
1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
DMN2310UFD-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3
