رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD16556Q5B
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD16556Q5B-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 100A (Tc) 3.2W (Ta), 191W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
المخزون:
7319 قطع جديدة أصلية في المخزون
12795637
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD16556Q5B المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.07mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.7V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
47 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6180 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.2W (Ta), 191W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-VSONP (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
CSD16556
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
-296-35627-2
CSD16556Q5B-DG
TEXTISCSD16556Q5B
296-35627-1
2156-CSD16556Q5B
296-35627-2
-296-35627-2-DG
296-35627-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD25302Q2
MOSFET P-CH 20V 5A 6SON
CSD23203WT
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
CSD17307Q5A
MOSFET N-CH 30V 14A/73A 8VSON
