رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD16570Q5BT
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD16570Q5BT-DG
وصف:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 25 V 100A (Ta) 3.2W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSONP (5x6)
المخزون:
25968 قطع جديدة أصلية في المخزون
12815343
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD16570Q5BT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
25 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
0.59mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.9V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
14000 pF @ 12 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.2W (Ta), 195W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-VSONP (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
CSD16570
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
250
اسماء اخرى
296-38335-6
296-38335-2
296-38335-1
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP100N04S4H2AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
IRFR3708TRPBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
TP0202K-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 385MA SOT23-3
