رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD17312Q5
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD17312Q5-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 38A/100A 8VSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 38A (Ta), 100A (Tc) 3.2W (Ta) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
المخزون:
6167 قطع جديدة أصلية في المخزون
12789920
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD17312Q5 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
38A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
3V, 8V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.5mOhm @ 35A, 8V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
+10V, -8V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5240 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-VSON-CLIP (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
CSD17312
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
296-27613-2
TEXTISCSD17312Q5
296-27613-1
296-27613-6
-296-27613-1-DG
-CSD17312Q5-NDR
2156-CSD17312Q5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CP373-CMPDM303NH-WN
MOSFET N-CH 30V 3.6A DIE
CDM22010-650 SL
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
CMUDM8004 TR PBFREE
MOSFET P-CH 30V 450MA SOT523