رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD18510KTT
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD18510KTT-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 274A DDPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 274A (Tc) 250W (Ta) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
المخزون:
270 قطع جديدة أصلية في المخزون
12795702
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD18510KTT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
274A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
153 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
11400 pF @ 20 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (DDPAK-3)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
CSD18510
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
296-50718-2
296-50718-1
296-50718-6
CSD18510KTT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
2 (1 Year)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPB120N04S401ATMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1863
DiGi رقم الجزء
IPB120N04S401ATMA1-DG
سعر الوحدة
1.52
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IXTA340N04T4
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
188
DiGi رقم الجزء
IXTA340N04T4-DG
سعر الوحدة
3.66
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD18534Q5A
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
CSD18511Q5A
MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
CSD17570Q5BT
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON