رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD18540Q5BT
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD18540Q5BT-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 100A (Ta) 3.1W (Ta), 195W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)
المخزون:
58 قطع جديدة أصلية في المخزون
12815237
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD18540Q5BT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4230 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 195W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-VSON-CLIP (5x6)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
CSD18540
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
250
اسماء اخرى
296-37963-6
296-37963-1
296-37963-2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CSD18540Q5B
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
12177
DiGi رقم الجزء
CSD18540Q5B-DG
سعر الوحدة
0.98
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF6712STRPBF
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
IRFR3707TRR
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
CSD17576Q5BT
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
