رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD19503KCS
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD19503KCS-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 100A (Ta) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
390 قطع جديدة أصلية في المخزون
12794844
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD19503KCS المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tube
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2730 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
188W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
CSD19503
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
TEXTISCSD19503KCS
2156-CSD19503KCS
-296-37481-5-DG
296-37481-5
CSD19503KCS-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MIC94053YC6-TR
MOSFET P-CH 6V 2A SC70-6
CSD18504Q5A
MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
CSD19505KTT
MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK