رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD19532KTT
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD19532KTT-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 200A (Ta) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (DDPAK-3)
المخزون:
529 قطع جديدة أصلية في المخزون
12795302
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD19532KTT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
200A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5060 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
250W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (DDPAK-3)
العبوة / العلبة
TO-263-4, D2PAK (3 Leads + Tab), TO-263AA
رقم المنتج الأساسي
CSD19532
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
-CSD19532KTT
296-CSD19532KTTTR
296-44970-1-DG
296-44970-2-DG
-321-CSD19532KTTCT
CSD19532KTT-DG
296-CSD19532KTTCT
296-44970-6-DG
296-CSD19532KTTDKR
296-44970-6
296-44970-1
296-44970-2
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
2 (1 Year)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD17578Q5AT
MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON
CSD17381F4
MOSFET N-CH 30V 3.1A 3PICOSTAR
CSD17581Q5A
MOSFET N-CH 30V 24A/123A 8VSON