رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD23201W10
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD23201W10-DG
وصف:
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
وصف تفصيلي:
P-Channel 12 V 2.2A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount 4-DSBGA (1x1)
المخزون:
12795974
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD23201W10 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
-
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
12 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
82mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.4 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
-6V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
325 pF @ 6 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
4-DSBGA (1x1)
العبوة / العلبة
4-UFBGA, DSBGA
رقم المنتج الأساسي
CSD232
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
296-24258-2-NDR
-296-24258-1-NDR
-HPA00788W10
2156-CSD23201W10
-296-24258-1-DG
296-24258-6
296-24258-2
296-24258-6-NDR
296-24258-1
-HPA00788W10-NDR
2156-CSD23201W10-TITR-DG
296-24258-1-NDR
TEXTISCSD23201W10
-CSD23201W10-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
CSD23202W10
المُصنِّع
Texas Instruments
الكمية المتاحة
14404
DiGi رقم الجزء
CSD23202W10-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
CSD16321Q5
MOSFET N-CH 25V 31A/100A 8VSON
CSD18535KTTT
MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK
CSD17484F4T
MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR
