رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD25211W1015
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD25211W1015-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5)
المخزون:
383 قطع جديدة أصلية في المخزون
12814961
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD25211W1015 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.2A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
33mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
-6V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
570 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
6-DSBGA (1x1.5)
العبوة / العلبة
6-UFBGA, DSBGA
رقم المنتج الأساسي
CSD25211
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
CSD25211W1015-DG
-296-36578-1-DG
296-36578-6-NDR
-296-36578-1
296-36578-1
296-36578-2-NDR
296-36578-1-NDR
296-36578-2
-CSD25211W1015-NDR
296-36578-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
PMCM6501UPEZ
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
15278
DiGi رقم الجزء
PMCM6501UPEZ-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRL2505SPBF
MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK
CSD16325Q5
MOSFET N-CH 25V 33A/100A 8VSON
IRFL024ZTRPBF
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
