رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD25485F5T
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD25485F5T-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 5.3A 3PICOSTAR
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 5.3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 3-PICOSTAR
المخزون:
2465 قطع جديدة أصلية في المخزون
12815090
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD25485F5T المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
FemtoFET™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
1.8V, 8V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
35mOhm @ 900mA, 8V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.5 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
-12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
533 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.4W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
3-PICOSTAR
العبوة / العلبة
3-XFDFN
رقم المنتج الأساسي
CSD25485
مواصفات تقنية ومستندات
صفحة منتج الشركة المصنعة
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
250
اسماء اخرى
296-48122-2
CSD25485F5T-DG
296-48122-1
296-48122-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRFH7885TRPBF
MOSFET N-CH 80V 22A 8PQFN
IRF3707ZCSTRR
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
EPC2016
GANFET N-CH 100V 11A DIE
