رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD85312Q3E
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD85312Q3E-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 20V 39A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
المخزون:
8301 قطع جديدة أصلية في المخزون
12817111
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD85312Q3E المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Common Source
ميزة FET
Logic Level Gate, 5V Drive
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
39A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15.2nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2390pF @ 10V
الطاقة - الحد الأقصى
2.5W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد
8-VSON (3.3x3.3)
رقم المنتج الأساسي
CSD85312
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
-CSD85312Q3E-NDR
TEXTISCSD85312Q3E
2156-CSD85312Q3E
296-37187-6
296-37187-1
296-37187-2
-296-37187-1
-296-37187-1-DG
CSD85312Q3E-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
