رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD87335Q3D
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD87335Q3D-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 6W Surface Mount 8-LSON (3.3x3.3)
المخزون:
4919 قطع جديدة أصلية في المخزون
12815900
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD87335Q3D المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.9V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1050pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
6W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerLDFN
حزمة جهاز المورد
8-LSON (3.3x3.3)
رقم المنتج الأساسي
CSD87335Q3
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
296-43949-1
296-43949-2
CSD87335Q3D-DG
2156-CSD87335Q3D
296-43949-6
TEXTISCSD87335Q3D
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TPS1120D
MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8SOIC
IRF9358PBF
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SO
IRF7757TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 4.8A 8TSSOP
