رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
CSD87352Q5D
Product Overview
المُصنّع:
Texas Instruments
رقم الجزء DiGi Electronics:
CSD87352Q5D-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 25A 8LSON
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 25A 8.5W Surface Mount 8-LSON (5x6)
المخزون:
15881 قطع جديدة أصلية في المخزون
12818531
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
CSD87352Q5D المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Texas Instruments
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
NexFET™
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.15V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.5nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1800pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
8.5W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-PowerLDFN
حزمة جهاز المورد
8-LSON (5x6)
رقم المنتج الأساسي
CSD87352Q5
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
صفحة منتج الشركة المصنعة
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
296-29161-6
2156-CSD87352Q5DTR
296-29161-1
296-29161-2
-296-29161-1-DG
-CSD87352Q5D-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
VQ1006P
MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
IRF7317PBF
MOSFET N/P-CH 20V 6.6A/5.3A 8SO
GWM120-0075P3-SMD SAM
MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS