رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SA1013-O,T6MIBF(J
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SA1013-O,T6MIBF(J-DG
وصف:
TRANS PNP 160V 1A TO92L
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 1 A 50MHz 900 mW Through Hole TO-92L
المخزون:
12889894
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SA1013-O,T6MIBF(J المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
160 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
60 @ 200mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
900 mW
التردد - الانتقال
50MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
حزمة جهاز المورد
TO-92L
رقم المنتج الأساسي
2SA1013
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SA1013-OT6MIBF(J
2SA1013OT6MIBFJ
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
KSA1013YBU
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
3030
DiGi رقم الجزء
KSA1013YBU-DG
سعر الوحدة
0.13
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA2060(TE12L,F)
TRANS PNP 50V 2A PW-MINI
2SC6040(TPF2,Q,M)
TRANS NPN 800V 1A MSTM
2SA949-O(TE6,F,M)
TRANS PNP 150V 0.05A TO92MOD
