رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SA1182-Y,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SA1182-Y,LF-DG
وصف:
TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 500 mA 200MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
المخزون:
7875 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891528
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SA1182-Y,LF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
500 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
30 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 100mA, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
التردد - الانتقال
200MHz
درجة حرارة التشغيل
125°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
S-Mini
رقم المنتج الأساسي
2SA1182
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2SA1182-YLF(BCT-DG
2SA1182-YLF(BTR
2SA1182-Y(TE85LF)CT
2SA1182-YLF(BDKR
2SA1182-Y(TE85LF)DKR-DG
2SA1182-YLF(BDKR-DG
2SA1182-YLFCT
2SA1182-YLFTR
2SA1182-YLFTRINACTIVE
2SA1182-Y,LF(B
2SA1182-YLF(BTR-DG
2SA1182-Y(TE85LF)TR
2SA1182-Y(TE85LF)TR-DG
2SA1182-YLF(BCT
2SA1182-Y(TE85LF)DKR
2SA1182YLFTR-DG
2SA1182-Y(TE85LF)CT-DG
2SA1182-YLFCTINACTIVE
2SA1182-Y(TE85L,F)
2SA1182-YLFDKRINACTIVE
2SA1182-Y,LF(T
2SA1182-Y (TE85L,F)
2SA1182-YLFDKR
2SA1182YLFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC4883A
TRANSISTOR NPN TO220
2SC3328-O,T6KEHF(M
TRANS NPN 80V 2A TO92MOD
FMMTL619TC
TRANS NPN 50V 1.25A SOT23-3
