رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SA1315-Y,HOF(M
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SA1315-Y,HOF(M-DG
وصف:
TRANS PNP 80V 2A TO92MOD
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 2 A 80MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
المخزون:
12890086
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SA1315-Y,HOF(M المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 50mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 500mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
900 mW
التردد - الانتقال
80MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
حزمة جهاز المورد
TO-92MOD
رقم المنتج الأساسي
2SA1315
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SA1315-YHOF(M
2SA1315YHOFM
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA949-Y(T6JVC1,FM
TRANS PNP 150V 0.05A TO92MOD
2SA949-Y,ONK-1F(J
TRANS PNP 150V 0.05A TO92MOD
2SC6010(T2MITUM,FM
TRANS NPN 600V 1A MSTM