رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SA1721RTE85LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SA1721RTE85LF-DG
وصف:
TRANS PNP 300V 0.1A SMINI
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 100 mA 50MHz 150 mW Surface Mount S-Mini
المخزون:
12890669
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SA1721RTE85LF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
300 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 2mA, 20mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 20mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
التردد - الانتقال
50MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
S-Mini
رقم المنتج الأساسي
2SA1721
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2SA1721RTE85LFTR
2SA1721RTE85LFCT
2SA1721RTE85LFDKR
2SA1721-R(TE85L,F)
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
MMBTA92,215
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
33678
DiGi رقم الجزء
MMBTA92,215-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC2655-O,F(J
TRANS NPN 50V 2A TO92MOD
2SC5171,MATUDQ(J
TRANS NPN 180V 2A TO220NIS
2SC5201,T6F(J
TRANS NPN 600V 0.05A TO92MOD