2SA1837(LBSAN,F,M)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2SA1837(LBSAN,F,M)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

2SA1837(LBSAN,F,M)-DG

وصف:

TRANS PNP 230V 1A TO220NIS
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 230 V 1 A 70MHz 2 W Through Hole TO-220NIS

المخزون:

12891650
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2SA1837(LBSAN,F,M) المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
1 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
230 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 100mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
70MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220NIS
رقم المنتج الأساسي
2SA1837

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SA1837LBSANFM
2SA1837(LBSANFM)

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1020-Y(6MBH1,AF

TRANS PNP 50V 2A TO92MOD

diodes

BSR43TA

TRANS NPN 80V 1A SOT89-3

diodes

FMMT491TA

TRANS NPN 60V 1A SOT23-3

diodes

FMMT596TC

TRANS PNP 200V 0.3A SOT23-3