رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SA1931,SINFQ(J
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SA1931,SINFQ(J-DG
وصف:
TRANS PNP 50V 5A TO220NIS
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 5 A 60MHz 2 W Through Hole TO-220NIS
المخزون:
12890369
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SA1931,SINFQ(J المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
400mV @ 200mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1A, 1V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
60MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220NIS
رقم المنتج الأساسي
2SA1931
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SA1931SINFQJ
2SA1931SINFQ(J
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FCX495TA
TRANS NPN 150V 1A SOT89-3
2SC2383-Y(T6DNS,FM
TRANS NPN 160V 1A TO92MOD
2SA1680(T6DNSO,F,M
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD