رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SB1457,T6TOTOF(J
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SB1457,T6TOTOF(J-DG
وصف:
TRANS PNP 100V 2A TO92MOD
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 2 A 50MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD
المخزون:
12889997
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SB1457,T6TOTOF(J المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 1mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
2000 @ 1A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
900 mW
التردد - الانتقال
50MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
حزمة جهاز المورد
TO-92MOD
رقم المنتج الأساسي
2SB1457
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SB1457T6TOTOFJ
2SB1457T6TOTOF(J
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC4793(F,M)
TRANS NPN 230V 1A TO220NIS
2SA1680(F,M)
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
2SC5359-O(Q)
TRANS NPN 230V 15A TO3P
