رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC3324-BL(TE85L,F
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC3324-BL(TE85L,F-DG
وصف:
TRANS NPN 120V 0.1A TO236
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 100 mA 100MHz 150 mW Surface Mount TO-236
المخزون:
12889459
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC3324-BL(TE85L,F المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
120 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 1mA, 10mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
350 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
125°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
حزمة جهاز المورد
TO-236
رقم المنتج الأساسي
2SC3324
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
2SC3324-BL(TE85LFTR
2SC3324-BL(TE85LFDKR
2SC3324-BL(TE85LF)TR-DG
2SC3324-BL(TE85LF)TR
2SC3324-BL(TE85LF)DKR
2SC3324-BL(TE85LF)CT-DG
2SC3324-BL(TE85LF)CT
2SC3324BL(TE85LFTR
2SC3324-BL(TE85LFCT
2SC3324-BLTE85LF
2SC3324-BL(TE85LF)DKR-DG
2SC3324BL(TE85LFTR-DG
2SC3324-BL(TE85L,F)
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SC2713-GR,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
13293
DiGi رقم الجزء
2SC2713-GR,LF-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
2SC2713-BL,LF
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
5504
DiGi رقم الجزء
2SC2713-BL,LF-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SD1223(TE16L1,NQ)
TRANS NPN DARL 80V 4A PW-MOLD
S9013-H-AP
TRANS NPN 25V 0.5A TO92
2SC2712-GR,LF
TRANS NPN 50V 0.15A SMINI
