رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC3665-Y,T2NSF(J
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC3665-Y,T2NSF(J-DG
وصف:
TRANS NPN 120V 0.8A MSTM
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 800 mA 120MHz 1 W Through Hole MSTM
المخزون:
12891249
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC3665-Y,T2NSF(J المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
800 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
120 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 50mA, 500mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 100mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
120MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
SC-71
حزمة جهاز المورد
MSTM
رقم المنتج الأساسي
2SC3665
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SC3665YT2NSFJ
2SC3665-YT2NSF(J
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC2705-O(TPE6,F)
TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD
2SC2655-Y(6MBH1,AF
TRANS NPN 50V 2A TO92MOD
2SB1375,CLARIONF(M
TRANS PNP 60V 3A TO220NIS