رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC3668-Y,T2F(J
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC3668-Y,T2F(J-DG
وصف:
TRANS NPN 50V 2A MSTM
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 2 A 100MHz 1 W Through Hole MSTM
المخزون:
12890533
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC3668-Y,T2F(J المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 50mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 500mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
SC-71
حزمة جهاز المورد
MSTM
رقم المنتج الأساسي
2SC3668
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SC3668YT2FJ
2SC3668-YT2F(J
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SC5712(TE12L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
1685
DiGi رقم الجزء
2SC5712(TE12L,F)-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TTA006B,Q(S
TRANSISTOR PNP BIPO TO126N
BCW66HTC
TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3
BC847B-7-F
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3