2SC3668-Y,T2F(J
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2SC3668-Y,T2F(J

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

2SC3668-Y,T2F(J-DG

وصف:

TRANS NPN 50V 2A MSTM
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 2 A 100MHz 1 W Through Hole MSTM

المخزون:

12890533
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2SC3668-Y,T2F(J المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 50mA, 1A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
1µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
70 @ 500mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
100MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
SC-71
حزمة جهاز المورد
MSTM
رقم المنتج الأساسي
2SC3668

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SC3668YT2FJ
2SC3668-YT2F(J

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

نماذج بديلة

رقم الجزء
2SC5712(TE12L,F)
المُصنِّع
Toshiba Semiconductor and Storage
الكمية المتاحة
1685
DiGi رقم الجزء
2SC5712(TE12L,F)-DG
سعر الوحدة
0.12
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

TTA006B,Q(S

TRANSISTOR PNP BIPO TO126N

diodes

BCW66HTC

TRANS NPN 45V 0.8A SOT23-3

diodes

BC847B-7-F

TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3

toshiba-semiconductor-and-storage

TTD1415B,S4X(S

TRANSISTOR NPN TO220SIS