رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC3672-O(T2ASH,FM
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC3672-O(T2ASH,FM-DG
وصف:
TRANS NPN 300V 0.1A MSTM
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 100 mA 80MHz 1 W Through Hole MSTM
المخزون:
12889707
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC3672-O(T2ASH,FM المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
100 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
300 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
500mV @ 2mA, 20mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
30 @ 20mA, 10V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
80MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
SC-71
حزمة جهاز المورد
MSTM
رقم المنتج الأساسي
2SC3672
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SC3672-O(T2ASHFM
2SC3672OT2ASHFM
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA1020-Y,T6NSF(J
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
2SA1428-Y,T2F(M
TRANS PNP 50V 2A MSTM
2SA1837,F(J
TRANS PNP 230V 1A TO220NIS