رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC5200-O(S1,F
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC5200-O(S1,F-DG
وصف:
PB-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(L)
المخزون:
25 قطع جديدة أصلية في المخزون
12988277
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC5200-O(S1,F المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
15 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
230 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
3V @ 800mA, 8A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
5µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
55 @ 1A, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
150 W
التردد - الانتقال
30MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-3PL
حزمة جهاز المورد
TO-3P(L)
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
264-2SC5200-O(S1F
264-2SC5200-O(S1,F-DG
264-2SC5200-O(S1,F
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BCP68-QX
TRANS NPN 20V 1A SOT223
BC868-QX
TRANS NPN 20V 1A SOT89
2N5785
2N5785
