رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC5200N(S1,E,S)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC5200N(S1,E,S)-DG
وصف:
TRANS NPN 230V 15A TO3P
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P(N)
المخزون:
12891483
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC5200N(S1,E,S) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
15 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
230 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
3V @ 800mA, 8A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
5µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 1A, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
150 W
التردد - الانتقال
30MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-3P-3, SC-65-3
حزمة جهاز المورد
TO-3P(N)
رقم المنتج الأساسي
2SC5200
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
25
اسماء اخرى
2SC5200N(S1ES)
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
Not Applicable
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SC3263
المُصنِّع
Sanken Electric USA Inc.
الكمية المتاحة
48
DiGi رقم الجزء
2SC3263-DG
سعر الوحدة
2.23
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
NJW0281G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
246
DiGi رقم الجزء
NJW0281G-DG
سعر الوحدة
1.29
نوع الاستبدال
Upgrade
رقم الجزء
2SC6145
المُصنِّع
Sanken Electric USA Inc.
الكمية المتاحة
816
DiGi رقم الجزء
2SC6145-DG
سعر الوحدة
2.06
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC2655-Y(T6CN,A,F
TRANS NPN 50V 2A TO92MOD
2SA1869-Y,Q(J
TRANS PNP 50V 3A TO220NIS
2SD2257(Q,M)
TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
