رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC5459(TOJS,Q,M)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC5459(TOJS,Q,M)-DG
وصف:
TRANS NPN 400V 3A TO220NIS
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS
المخزون:
12889826
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC5459(TOJS,Q,M) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
3 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
400 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1V @ 150mA, 1.2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
20 @ 300mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220NIS
رقم المنتج الأساسي
2SC5459
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SC5459(TOJSQM)
2SC5459TOJSQM
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA1987-O(Q)
TRANS PNP 230V 15A TO3P
2SC2383-O,T6ALPF(M
TRANS NPN 160V 1A TO92MOD
2SC2229-Y(TE6,F,M)
TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD