رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC5886A(T6L1,NQ)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC5886A(T6L1,NQ)-DG
وصف:
TRANS NPN 50V 5A PW-MOLD
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 5 A 1 W Surface Mount PW-MOLD
المخزون:
12988654
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
S7CW
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC5886A(T6L1,NQ) المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
5 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
220mV @ 32mA, 1.6A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
400 @ 500mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
PW-MOLD
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
264-2SC5886A(T6L1,NQ)TR-DG
264-2SC5886A(T6L1,NQ)CT
264-2SC5886A(T6L1,NQ)TR
264-2SC5886A(T6L1NQ)TR
264-2SC5886A(T6L1NQ)TR-DG
264-2SC5886A(T6L1,NQ)DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
2SC5706-TL-H
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
1797
DiGi رقم الجزء
2SC5706-TL-H-DG
سعر الوحدة
0.43
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MMS8550HE3-L-TP
PNP TRANSISTORS, SOT-23
TTC015B,Q
PB-F POWER TRANSISTOR TO-126N PC
TTA008B,Q
PB-F POWER TRANSISTOR TO-126 PC=