رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC6026MFV-Y,L3F
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC6026MFV-Y,L3F-DG
وصف:
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 60MHz 150 mW Surface Mount VESM
المخزون:
16026 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889865
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC6026MFV-Y,L3F المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
التردد - الانتقال
60MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-723
حزمة جهاز المورد
VESM
رقم المنتج الأساسي
2SC6026
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
2SC6026MFV-Y,L3F(B
2SC6026MFV-YL3FDKR
2SC6026MFV-YL3FTR
2SC6026MFV-YL3FCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC2235-Y(T6CANOFM
TRANS NPN 120V 0.8A TO92MOD
2SC3225,T6ALPSF(M
TRANS NPN 40V 2A TO92MOD
2SC2229-O(T6MIT1FM
TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD