رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SC6026MFVGR,L3F
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SC6026MFVGR,L3F-DG
وصف:
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 60MHz 150 mW Surface Mount VESM
المخزون:
28622 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889972
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SC6026MFVGR,L3F المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
150 mW
التردد - الانتقال
60MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-723
حزمة جهاز المورد
VESM
رقم المنتج الأساسي
2SC6026
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
8,000
اسماء اخرى
2SC6026MFVGR,L3F(T
2SC6026MFVGR,L3F(B
2SC6026MFVGRL3FTR
2SC6026MFVGRL3FCT
2SC6026MFVGRL3FDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SC2229-Y(T6MITIFM
TRANS NPN 150V 0.05A TO92MOD
2SA1244-Y(Q)
TRANS PNP 50V 5A PW-MOLD
2SC6076(TE16L1,NV)
TRANS NPN 80V 3A PW-MOLD