2SD2257(CANO,Q,M)
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

2SD2257(CANO,Q,M)

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

2SD2257(CANO,Q,M)-DG

وصف:

TRANS NPN 100V 3A TO220NIS
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 2 W Through Hole TO-220NIS

المخزون:

12891108
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

2SD2257(CANO,Q,M) المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
3 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.5V @ 1.5mA, 1.5A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
2000 @ 2A, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220NIS
رقم المنتج الأساسي
2SD2257

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
2SD2257CANOQM
2SD2257(CANOQM)

التصنيف البيئي والتصدير

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1955FVATPL3Z

TRANS PNP 12V 0.4A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC3668-Y,F2PANF(J

TRANS NPN 50V 2A MSTM

toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1163-GR,LF

TRANS PNP 120V 0.1A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1020-Y(T6CANOFM

TRANS PNP 50V 2A TO92MOD