رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SK2507(F)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SK2507(F)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS
وصف تفصيلي:
N-Channel 50 V 25A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220NIS
المخزون:
12890114
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SK2507(F) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
25A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
46mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
900 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
30W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220NIS
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
2SK2507
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3J144TU,LF
MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
TPCA8062-H,LQ(CM
MOSFET N-CH 30V 28A 8SOP
TK35A08N1,S4X
MOSFET N-CH 80V 35A TO220SIS
