رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SK2845(TE16L1,Q)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SK2845(TE16L1,Q)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 1A DP
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 1A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
المخزون:
12891701
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SK2845(TE16L1,Q) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
9Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
350 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
40W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PW-MOLD
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
2SK2845
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IXTY1N100P
المُصنِّع
IXYS
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
IXTY1N100P-DG
سعر الوحدة
1.61
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
T2N7002BK,LM
MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
DMG2302UKQ-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
DMG4N60SCT
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
