رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SK2883(TE24L,Q)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SK2883(TE24L,Q)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM
وصف تفصيلي:
N-Channel 800 V 3A (Ta) 75W (Tc) Surface Mount TO-220SM
المخزون:
12890320
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SK2883(TE24L,Q) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
800 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.6Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±30V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
750 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
75W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-220SM
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
2SK2883
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STD5N95K3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
2490
DiGi رقم الجزء
STD5N95K3-DG
سعر الوحدة
1.18
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
FQPF3N80C
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
205
DiGi رقم الجزء
FQPF3N80C-DG
سعر الوحدة
0.71
نوع الاستبدال
Similar
رقم الجزء
STP4NK80ZFP
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
1826
DiGi رقم الجزء
STP4NK80ZFP-DG
سعر الوحدة
0.87
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TK31E60X,S1X
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
TK7J90E,S1E
MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
TPCA8065-H,LQ(S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOP
