رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
2SK2993(TE24L,Q)
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
2SK2993(TE24L,Q)-DG
وصف:
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM
وصف تفصيلي:
N-Channel 250 V 20A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount TO-220SM
المخزون:
12889129
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
2SK2993(TE24L,Q) المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
250 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
20A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
105mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 1mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4000 pF @ 10 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
100W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-220SM
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
2SK2993
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FQPF27N25
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
315
DiGi رقم الجزء
FQPF27N25-DG
سعر الوحدة
1.38
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SSM3K72CFS,LF
MOSFET N-CH 60V 170MA SSM
TK4P55DA(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK
SSM3J14TTE85LF
MOSFET P-CH 30V 2.7A TSM
