رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HN1B01FU-Y,LXHF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
HN1B01FU-Y,LXHF-DG
وصف:
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 50V 150mA 120MHz, 150MHz 200mW Surface Mount US6
المخزون:
5878 قطع جديدة أصلية في المخزون
12966894
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HN1B01FU-Y,LXHF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
-
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 10mA, 100mA / 250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
التردد - الانتقال
120MHz, 150MHz
درجة حرارة التشغيل
-
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
HN1B01
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
264-HN1B01FU-YLXHFDKR
264-HN1B01FU-Y,LXHFCT
264-HN1B01FU-Y,LXHFTR
264-HN1B01FU-YLXHFCT
264-HN1B01FU-Y,LXHFCT-DG
264-HN1B01FU-YLXHFTR
264-HN1B01FU-Y,LXHFTR-DG
264-HN1B01FU-Y,LXHFDKR-DG
264-HN1B01FU-Y,LXHFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HN1A01FE-GR,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + PNP TR VCEO:-50
HN1C01FE-Y,LXHF
AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
HN1B04FE-Y,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50