رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HN1B04FU-GR,LF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
HN1B04FU-GR,LF-DG
وصف:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
المخزون:
2765 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891054
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HN1B04FU-GR,LF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN, PNP
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
التردد - الانتقال
150MHz
درجة حرارة التشغيل
125°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
HN1B04
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
HN1B04FU-GR(L,F,T)
HN1B04FU-GRLFT
HN1B04FU-GRLFCT
HN1B04FU-GR(LFT)TR-DG
HN1B04FU-GRLF-DG
HN1B04FU-GR(LFT)DKR-DG
264-HN1B04FU-GR,LFCT
HN1B04FU-GR(LFT)CT-DG
HN1B04FU-GRLFINACTIVE
HN1B04FU-GR(LFT)DKR
HN1B04FU-GRLFCT-DG
HN1B04FU-GR,LF(B
264-HN1B04FU-GR,LFDKR
HN1B04FU-GR(LFT)TR
HN1B04FU-GRLFTR-DG
264-HN1B04FU-GR,LFTR
HN1B04FU-GR(LFT)CT
HN1B04FU-GRLF
HN1B04FU-GRLFDKR-DG
HN1B04FU-GRLFDKR
HN1B04FU-GR,LF(T
HN1B04FU-GRLFTR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
UMZ1NT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
11000
DiGi رقم الجزء
UMZ1NT1G-DG
سعر الوحدة
0.03
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HN1B01FU-Y(L,F,T)
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
HN1A01FE-GR,LF
TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6
2SA1873-GR(TE85L,F
TRANS 2PNP 50V 0.15A USV
