رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HN1C01F-GR(TE85L,F
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
HN1C01F-GR(TE85L,F-DG
وصف:
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 800MHz 300mW Surface Mount SM6
المخزون:
12891396
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HN1C01F-GR(TE85L,F المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
120 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
300mW
التردد - الانتقال
800MHz
درجة حرارة التشغيل
125°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SC-74, SOT-457
حزمة جهاز المورد
SM6
رقم المنتج الأساسي
HN1C01
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
HN1C01F-GR(TE85LF)CT-DG
HN1C01FGR(TE85LFTR
HN1C01F-GR(TE85LF)DKR
HN1C01F-GR(TE85L,F)
HN1C01F-GR(TE85LF)DKR-DG
HN1C01F-GR(TE85LFTR
HN1C01F-GR(TE85LF)CT
HN1C01FGR(TE85LFTR-DG
HN1C01F-GRTE85LF
HN1C01F-GR(TE85LF)TR
HN1C01F-GR(TE85LF)TR-DG
HN1C01F-GR(TE85LFCT
HN1C01F-GR(TE85LFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HN1B04FU-Y,LF
X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR
HN1B04FE-Y,LF
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
DMMT5551S-7-F
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT26
