رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HN1C01FE-GR,LXHF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
HN1C01FE-GR,LXHF-DG
وصف:
AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
المخزون:
7962 قطع جديدة أصلية في المخزون
12996347
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HN1C01FE-GR,LXHF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
100mW
التردد - الانتقال
80MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
SOT-563, SOT-666
حزمة جهاز المورد
ES6
رقم المنتج الأساسي
HN1C01
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
264-HN1C01FE-GR,LXHFTR-DG
264-HN1C01FE-GR,LXHFDKR-DG
264-HN1C01FE-GR,LXHFTR
264-HN1C01FE-GRLXHFDKR
264-HN1C01FE-GR,LXHFDKR
264-HN1C01FE-GRLXHFTR
264-HN1C01FE-GR,LXHFCT
264-HN1C01FE-GR,LXHFCT-DG
264-HN1C01FE-GRLXHFCT
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BC856S-QX
TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP
HN1B01FU-GR,LXHF
AUTO AEC-Q PNP + NPN TR VCEO:-50
PBSS4140DPN/DG/B2,115
NEXPERIA PBSS4140DPN - 40 V LOW
