رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
HN1C01FU-GR,LXHF
Product Overview
المُصنّع:
Toshiba Semiconductor and Storage
رقم الجزء DiGi Electronics:
HN1C01FU-GR,LXHF-DG
وصف:
AUTO AEC-Q NPN + NPN TR VCEO:50V
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 80MHz 200mW Surface Mount US6
المخزون:
6000 قطع جديدة أصلية في المخزون
12966994
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
HN1C01FU-GR,LXHF المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
150mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
250mV @ 10mA, 100mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 2mA, 6V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
التردد - الانتقال
80MHz
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
HN1C01
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
264-HN1C01FU-GR,LXHFTR
264-HN1C01FU-GRLXHFTR
264-HN1C01FU-GR,LXHFDKR
264-HN1C01FU-GRLXHFCT
264-HN1C01FU-GR,LXHFCT
264-HN1C01FU-GRLXHFDKR
264-HN1C01FU-GR,LXHFTR-DG
264-HN1C01FU-GR,LXHFDKR-DG
264-HN1C01FU-GR,LXHFCT-DG
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SG2024J
DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H
BC857BS-AU_R1_000A1
SOT-363, TRANSISTOR
SG2013J
DRIVER - MEDIUM CURRENT ARRAY, H