HN1C03FU-A(TE85L,F
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

HN1C03FU-A(TE85L,F

Product Overview

المُصنّع:

Toshiba Semiconductor and Storage

رقم الجزء DiGi Electronics:

HN1C03FU-A(TE85L,F-DG

وصف:

TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6

المخزون:

12889810
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

HN1C03FU-A(TE85L,F المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), مصفوفات الترانزستورات الثنائية القطبية
المُصنّع
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
2 NPN (Dual)
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
300mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
20V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
100mV @ 3mA, 30mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
200 @ 4mA, 2V
الطاقة - الحد الأقصى
200mW
التردد - الانتقال
30MHz
درجة حرارة التشغيل
150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
US6
رقم المنتج الأساسي
HN1C03

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
HN1C03FU-A(TE85LFDKR
HN1C03FU-A(TE85LFCT
HN1C03FU-A(TE85LFTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء
QSX8TR
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
300
DiGi رقم الجزء
QSX8TR-DG
سعر الوحدة
0.17
نوع الاستبدال
Similar
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

BC846ASQ-7-F

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT36

toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

TRANS 2PNP 50V 0.15A SMV

texas-instruments

ULN2803ANG4

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP

texas-instruments

ULN2803AN

TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18DIP